### 產品簡介
B20S60L-VB 是一款高電壓、高功率單級N溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技術，設計用于處理高電壓應用，提供穩定的性能和可靠性，適合用于高壓開關和功率轉換。

### 詳細參數說明
- **型號**: B20S60L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊
B20S60L-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **高壓電源管理**：在高電壓電源系統中，用于高效開關和功率轉換，處理高電壓負載。
2. **工業設備**：用于工業電源系統和設備的高壓開關應用，提供穩定可靠的性能。
3. **電動汽車**：在電動汽車的高壓功率控制系統中處理電池和電動機的高電壓開關需求。
4. **電力轉換器**：在高電壓 DC-DC 轉換器中作為開關元件，提升電力轉換效率并確保系統穩定性。