### 產品簡介
**B418L-VB** 是一款高性能單極性N通道場效應晶體管，封裝形式為TO263。這款MOSFET采用Trench技術，能夠處理高達100V的漏源電壓和100A的電流。其低導通電阻和寬柵源電壓范圍使其非常適合在高功率和高效率應用中使用，特別是在需要穩定開關性能的場合。
### 詳細參數說明
- **型號**: B418L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極N通道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 100V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 2.5V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
- 23mΩ (V_GS = 4.5V)
- 10mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏電流 (I_D)**: 100A
- **技術**: Trench
### 適用領域和模塊
1. **電源管理**：B418L-VB適用于高功率電源管理系統，包括高電壓DC-DC轉換器和電源適配器。其低導通電阻和高電流處理能力能夠提升電源系統的效率和穩定性，適合在高電壓和高電流負載下運行。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理和電動驅動系統中，B418L-VB能夠處理高電流負載并提供穩定的開關性能，有助于優化電動汽車的整體性能和提高電池使用壽命。
3. **開關電源**：在需要高電流和高電壓的開關電源應用中，這款MOSFET能夠有效地管理負載，確保電源系統的高效能和可靠性，特別是在復雜電源設計中能夠提供穩定的開關控制。
4. **工業自動化**：在工業自動化設備中，B418L-VB可用于高功率開關應用，如電機驅動和負載控制系統，其高電流和低導通電阻特性保證了設備在高負載條件下的穩定運行和高效能。
