### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSC067N06LS3 G-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在DFN8(5x6)外殼中。該MOSFET 設(shè)計(jì)用于需要高電流處理和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為60V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，能夠適應(yīng)各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。BSC067N06LS3 G-VB 的閾值電壓（Vth）為2.5V，確保在較低的柵極電壓下可靠啟動(dòng)。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V時(shí)為7mΩ，在VGS = 10V時(shí)為6mΩ，提供了優(yōu)良的功率效率和較低的功耗。該MOSFET 的連續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)80A，適合處理較大電流負(fù)荷。BSC067N06LS3 G-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，優(yōu)化了其開(kāi)關(guān)性能和總體能效。
### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型:** DFN8(5x6)
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 時(shí)為 7mΩ
- VGS = 10V 時(shí)為 6mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 80A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)
### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域
BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，在多個(gè)領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。例如，在電源管理系統(tǒng)中，這款MOSFET 可用于高效的電源開(kāi)關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊，處理大電流負(fù)荷同時(shí)減少功耗。在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，它適合用于電機(jī)控制系統(tǒng)和電源管理模塊，確保高效和穩(wěn)定的電流供應(yīng)。在工業(yè)應(yīng)用中，BSC067N06LS3 G-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率轉(zhuǎn)換設(shè)備，提供可靠的高電流開(kāi)關(guān)功能，降低能量損失。此外，該MOSFET 還適合用于高效能LED驅(qū)動(dòng)器和其他高功率電子設(shè)備，提升整體性能和能效。
