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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC070N10NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC070N10NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**型號:BSC070N10NS3 G-VB**

BSC070N10NS3 G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。該MOSFET利用先進的Trench技術制造,具有低導通電阻和高電流處理能力,特別適合用于高效能的電源管理和開關應用。BSC070N10NS3 G-VB支持高達100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其門檻電壓(Vth)范圍為1V到3V,確保在較低的柵極電壓下能夠可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導通電阻(RDS(ON))為6mΩ,在10V柵極電壓下為5mΩ,能夠提供高達100A的連續漏極電流(ID),使其在高電流和高效率的應用中表現優異。

### 二、詳細的參數說明

- **型號**: BSC070N10NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 100V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 1V ~ 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 4.5V: 6mΩ
 - @VGS = 10V: 5mΩ
- **連續漏極電流(ID)**: 100A
- **技術**: Trench

### 三、應用領域和模塊舉例

**電源開關**:BSC070N10NS3 G-VB因其高電流處理能力和低導通電阻,非常適合用于高效電源開關應用。其低RDS(ON)特性使其能夠在DC-DC轉換器、高性能電源供應單元和開關電源中顯著降低功耗,提高整體系統效率。

**電動汽車**:在電動汽車的電機驅動系統和電池管理系統中,BSC070N10NS3 G-VB的高電流能力和高壓承受能力使其能夠處理電動汽車中的高電流和高電壓需求。其低導通電阻有助于減少能量損耗,提升電動汽車的性能和續航能力。

**工業電源**:該MOSFET適用于高功率工業電源系統,如變頻器和工業電源供應單元。BSC070N10NS3 G-VB能夠處理高電流負載,保證系統的高效運作和長期穩定性,適合在各種工業電源應用中使用。

**LED驅動器**:在高功率LED照明應用中,BSC070N10NS3 G-VB提供的低導通電阻能夠減少功耗和熱量,提升LED的工作效率和壽命。這使其成為高亮度LED照明系統和LED驅動模塊中的理想選擇。

**高壓電源管理**:在需要處理高電壓和大電流的電源管理系統中,如高壓DC-DC轉換器和電力逆變器,BSC070N10NS3 G-VB能夠提供穩定的電流供應,并在高壓條件下保持高效能和可靠性。

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