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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSC080N03LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSC080N03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 DFN8(5x6)。這款 MOSFET 采用了先進的 Trench 技術,設計用于處理高電流和高效率的應用。其漏源極電壓(VDS)為 30V,最大門源極電壓(VGS)可達 ±20V,適合廣泛的驅動條件。BSC080N03LS G-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 9mΩ,在 VGS 為 10V 時為 7mΩ,提供了低功耗和高效能的優勢。該 MOSFET 的漏極電流(ID)高達 80A,能夠滿足大電流負載的需求。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC080N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理**:
  BSC080N03LS G-VB 在電源管理模塊中提供卓越的性能,尤其適用于高效率的開關電源和 DC-DC 轉換器。其低導通電阻能夠顯著減少功率損耗,提高電源轉換效率,保證系統穩定運行。

2. **電機驅動**:
  在電機驅動應用中,BSC080N03LS G-VB 由于其高電流處理能力和低導通電阻,適用于驅動直流電機和步進電機。它能夠高效地處理大電流負載,提升電機的響應速度和工作效率。

3. **功率轉換器**:
  對于功率轉換器應用,如高效的 AC-DC 轉換器和 DC-AC 逆變器,BSC080N03LS G-VB 能夠提供穩定的開關性能和高功率處理能力。其低導通電阻減少了熱量生成,提高了功率轉換效率。

4. **LED 驅動電路**:
  在高功率 LED 驅動電路中,BSC080N03LS G-VB 可以處理較大的電流,并且低導通電阻能夠減少系統的熱量產生,延長系統的使用壽命和穩定性。

這款 MOSFET 的優越性能使其在需要高電流和高效率的應用中表現出色,特別是在電源管理和驅動系統中。

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