柵極電源驅(qū)動(dòng)器、 晶體管 MOSFET
型號(hào):
VNP35N07-E
品牌:
ST(意法)
參數(shù)
參數(shù)名稱 | 屬性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
廠商名稱 | ST(意法半導(dǎo)體) |
零件包裝代碼 | SFM |
包裝說明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
針數(shù) | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代碼 | EAR99 |
Factory Lead Time | 18 weeks |
Samacsys Description | NULL |
配置 | COMPLEX |
最小漏源擊穿電壓 | 60 V |
最大漏極電流 (Abs) (ID) | 35 A |
最大漏極電流 (ID) | 35 A |
最大漏源導(dǎo)通電阻 | 0.035 Ω |
FET 技術(shù) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代碼 | TO-220AB |
JESD-30 代碼 | R-PSFM-T3 |
元件數(shù)量 | 1 |
端子數(shù)量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封裝主體材料 | PLASTIC/EPOXY |
封裝形狀 | RECTANGULAR |
封裝形式 | FLANGE MOUNT |
極性/信道類型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
參考標(biāo)準(zhǔn) | AEC-Q101 |
表面貼裝 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶體管元件材料 | SILICON |
最大關(guān)閉時(shí)間(toff) | 22500 ns |
最大開啟時(shí)間(噸) | 804200 ns |