根據提供的型號和參數，以下是對該 MOSFET 型號 LR120N-VB 的詳細參數和應用簡介：

**型號：** LR120N-VB

**絲印：** VBE1101M

**品牌：** VBsemi

**參數：**
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大電流：18A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON))：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 門源電壓閾值 (Vth)：1.6V
- 標準門源電壓 (±V)：20V
- 封裝：TO252

**產品應用簡介：**
LR120N-VB 是一款 N 溝道的 MOSFET，具有較高的額定電壓、大電流承受能力和適度的漏極-源極電阻，適合用于各種電子設備和模塊的功率開關和放大器應用。這款 MOSFET 的性能參數使其適用于多種領域。

**產品應用領域：**
1. **電源管理模塊：** 該型號的 MOSFET 可用于電源管理模塊，如電源開關，以便有效地控制電流，提高功效，降低功耗。

2. **電機驅動：** 可以用于電機驅動電路，例如直流電機和步進電機，以提供高效的電機控制和功率放大。

3. **電源開關：** 在電源開關應用中，用于切換電源連接，如在電源管理單元中。

4. **電池保護：** 用于電池保護電路，以控制電池的充電和放電，確保電池的安全和性能。

5. **逆變器和電源逆變器：** 適用于逆變器電路，用于將直流電源轉換為交流電源，通常用于太陽能逆變器和電源逆變器。

總之，LR120N-VB MOSFET 在多個領域中都有廣泛的應用，用于功率控制、電流開關和信號放大等用途。由于其性能參數，它在電子模塊和設備中起到關鍵作用。