--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO263封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:IRF5305SPBF-VB
絲印:VBL2658
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大持續(xù)電流:-30A
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-1V 到 -3V
- 封裝:TO263
詳細參數(shù)說明:
IRF5305SPBF-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件,具有-60V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為-30A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好,分別為 58mΩ @ 10V 和 70mΩ @ 4.5V。閾值電壓 (Vth) 的范圍為-1V 到 -3V。
應用簡介:
IRF5305SPBF-VB 通常用于電源管理、電源開關和電源轉換器應用中,特別適用于需要 P 溝道 MOSFET 的電路。TO263 封裝使其易于集成到各種電子設備和電路中。這種型號的 MOSFET 具有低導通電阻和高電流承受能力,可提供卓越的性能和高效率,適用于需要高功率開關的應用,如電源開關、電源逆變器、電源轉換器、電機控制、電池保護電路等。其閾值電壓范圍的靈活性使其適用于多種電路設計,可以在不同的電壓條件下提供可靠的性能。
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