型號: NDT2955-VB

絲印: VBJ2658

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝類型: SOT223
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -60V
- 最大電流: -6.5A
- 開態電阻: RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1~-3V

封裝: SOT223

**詳細參數說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT223，表明該器件使用SOT223封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel，指示這是一個P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -60V，說明器件能夠正常工作的最大負電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -6.5A，表示器件能夠承受的最大電流，負號表示電流方向為從漏極到源極。
5. **開態電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，說明在特定的柵源電壓下，開態時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -1~-3V，表示在柵源電壓作用下，器件從關態切換到開態所需的最小電壓范圍。

**應用簡介:**
NDT2955-VB是一款P-Channel MOSFET，適用于多種應用領域，包括但不限于：
1. **電源開關:** 由于其P溝道性質，可用于電源開關、電池保護等電源管理模塊。
2. **電池保護:** 適用于電池管理系統，用于保護電池免受過放電和過充電的影響。
3. **功率逆變器:** 用于構建功率逆變器，例如在太陽能逆變器和電機驅動器中。
4. **電流控制模塊:** 適用于需要對電流進行精確控制的應用，例如電源電流調節和電機驅動。

請注意，在具體設計中應仔細參考該器件的數據手冊以及應用手冊，以確保正確的使用和性能。