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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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UT2301G-AE3-R-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號: UT2301G-AE3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: UT2301G-AE3-R-VB

絲印: VB2290

品牌: VBsemi

參數(shù):

- 封裝: SOT23
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓(V): -20V
- 額定電流(A): -4A
- 開態(tài)電阻(RDS(ON)): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓(Vth): -0.81V

封裝: SOT23

重新生成的詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:

UT2301G-AE3-R-VB是一款P-Channel溝道MOSFET,采用SOT23封裝。其主要參數(shù)包括-20V的額定電壓,-4A的額定電流,以及在不同門源電壓下的開態(tài)電阻。

**詳細參數(shù)說明:**

1. **額定電壓(V):** -20V - 這表示器件能夠在-20V的電壓下正常工作。這是一個P-Channel MOSFET,所以其額定電壓為負值。

2. **額定電流(A):** -4A - 這表示器件可以承受的最大電流為-4安培。同樣,由于是P-Channel類型,電流值為負數(shù)。

3. **開態(tài)電阻(RDS(ON)):** 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V - 這表示在不同的門源電壓下,器件的導通狀態(tài)時的電阻。在這個例子中,當門源電壓為4.5V或12V時,開態(tài)電阻為57毫歐姆。

4. **閾值電壓(Vth):** -0.81V - 這是器件的閾值電壓,即MOSFET開始導通的門源電壓。由于是P-Channel,閾值電壓為負數(shù)。

**應(yīng)用簡介:**

UT2301G-AE3-R-VB適用于多種領(lǐng)域的電源和開關(guān)電路,具體包括但不限于:

1. **電源模塊:** 適用于設(shè)計小型電源模塊,提供高效的電源解決方案。

2. **電池管理:** 可用于便攜設(shè)備和電池供電系統(tǒng),有效控制電流和電壓。

3. **開關(guān)電源:** 可用于開關(guān)電源中的功率開關(guān)部分,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。

4. **信號開關(guān):** 在低電壓、低功耗應(yīng)用中,可用于實現(xiàn)信號的開關(guān)和調(diào)控。

5. **便攜設(shè)備:** 由于其小型的SOT23封裝和低功耗特性,適用于便攜設(shè)備中的電源管理和開關(guān)電路。

總的來說,UT2301G-AE3-R-VB是一款小巧而強大的P-Channel MOSFET,適用于多種低功耗和小型電路的應(yīng)用。

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