型號：IRFR3518TRPBF-VB
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品牌：VBsemi
參數：
- 封裝類型：TO252
- 溝道類型：N—Channel
- 最大漏電壓（Vds）：100V
- 最大漏極電流（Id）：40A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：1.8V

封裝：TO252

應用簡介：
IRFR3518TRPBF-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，適用于多種高功率電路和模塊設計，特別是在需要高性能N-Channel MOSFET的應用中。

領域模塊應用：
1. **電源模塊：** 適用于高功率開關電源、電源逆變器等模塊設計，能夠提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。

2. **電機驅動模塊：** 由于其高電流和低漏電壓特性，可用于電機驅動和控制模塊，提供可靠的電流輸出和驅動性能，尤其在需要較高功率的應用中。

3. **電池保護模塊：** 用于電池充放電管理電路，提供高效的電池管理和保護功能。

4. **LED照明模塊：** 在需要高亮度和高功率的LED照明系統中，IRFR3518TRPBF-VB可以用于開關電源設計，以實現高效的LED照明。

5. **功率放大模塊：** 在需要N-Channel MOSFET的功率放大電路中，IRFR3518TRPBF-VB可用于實現高性能的功率放大。

請注意，以上是一些典型的應用場景，實際使用時需根據具體電路和系統要求進行選擇和設計。在集成IRFR3518TRPBF-VB時，建議仔細閱讀其數據手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。