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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD06N03LAG-VB場效應管一款N溝道TO252封裝的晶體管

型號: IPD06N03LAG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: IPD06N03LAG-VB
絲印: VBE1206
品牌: VBsemi
參數:
- 溝道類型: N—Channel
- 額定電壓: 20V
- 額定電流: 145A
- 導通電阻 (RDS(ON)): 3mΩ @ VGS=4.5V, VGS=15V
- 閾值電壓 (Vth): 0.87V
- 封裝: TO252

應用簡介:
VBsemi的IPD06N03LAG-VB是一款高性能N—Channel溝道場效應晶體管,具有高額定電流和低導通電阻的特點。適用于高功率、高頻率的應用場景,廣泛應用于各種電源系統和功率模塊。

**主要特點:**
1. 高額定電流,適用于大功率應用。
2. 低導通電阻,提供高效率的電源控制性能。
3. 寬工作電壓范圍,適用于多種電源系統。

**應用領域:**
1. 電源開關模塊
2. 直流-直流轉換器
3. 電機驅動和控制系統
4. 高功率電源逆變器

**使用注意事項:**
1. 在設計中請確保正確連接器件,避免反接和過載情況,以防損壞器件。
2. 請按照數據手冊提供的最大額定值使用電壓和電流,以確保穩定可靠的性能。
3. 注意適當的散熱措施,以維持器件在工作過程中的合適溫度。

以上信息供參考,請在使用前詳細閱讀產品數據手冊,并根據具體應用場景進行驗證和調整。

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