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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD3055VLT4G-VB場效應管一款N溝道TO252封裝的晶體管

型號: MTD3055VLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**VBsemi MTD3055VLT4G-VB 產品詳細參數說明與應用簡介**

**參數說明:**
- **型號:** MTD3055VLT4G-VB
- **絲印:** VBE1695
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** TO252
- **通道類型:** N—Channel溝道
- **工作電壓:** 60V
- **最大電流:** 18A
- **導通電阻:** RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓:** Vth=2V

**應用簡介:**
VBsemi的MTD3055VLT4G-VB是一款TO252封裝的N溝道場效應管,適用于低中功率的電子應用。該器件在電源管理、開關電源、電機控制等領域有著廣泛的應用。

**主要應用領域及模塊:**
1. **開關電源模塊:** MTD3055VLT4G-VB可用于開關電源模塊,作為電源開關器件,實現高效的電源開關控制。

2. **電機控制模塊:** 適用于中小功率的電機控制模塊,可在電機驅動中提供可靠的電流支持。

3. **電源逆變器:** 在中小功率的逆變電路中,MTD3055VLT4G-VB可用于實現直流到交流的轉換,是逆變器中的關鍵元件。

**作用:**
- **電流控制:** MTD3055VLT4G-VB可作為電流控制的關鍵元件,通過調整其導通電阻來實現對電路中電流的控制。

- **功率調整:** 適用于中小功率的功率電子模塊,可用于調整電路中的功率,滿足不同應用場景的需求。

**使用注意事項:**
1. **散熱設計:** 在高功率應用中,需要合理設計散熱系統,確保器件工作在適當的溫度范圍內,以維持其性能和壽命。

2. **電壓與電流限制:** 注意器件的最大工作電壓和電流,不要超過規定的參數范圍,以防止損壞器件。

3. **防靜電措施:** 在搬運和使用過程中,請采取防靜電措施,避免靜電對器件的影響。

4. **參考數據手冊:** 在設計電路時,請仔細閱讀器件的數據手冊,確保按照廠家提供的建議來設計和使用。

綜上所述,MTD3055VLT4G-VB是一款適用于低中功率電子應用的N溝道場效應管,廣泛應用于開關電源模塊、電機控制模塊以及電源逆變器等領域。在使用時,請遵循相關的使用注意事項,以確保器件在各種應用場景下的可靠性和性能。

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