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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI3433CDV-T1-GE3-VB場效應管一款P溝道SOT23-6封裝的晶體管

型號: SI3433CDV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品型號:** SI3433CDV-T1-GE3-VB  
**絲印:** VB8338  
**品牌:** VBsemi  
**參數:**
- 封裝: SOT23-6
- 類型: P—Channel溝道
- 額定電壓: -30V
- 額定電流: -4.8A
- 開態電阻 (RDS(ON)): 49mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): -1~-3V  

**封裝:** SOT23-6  

**詳細參數說明和應用簡介:**
該器件是一款SOT23-6封裝的P—Channel溝道場效應晶體管,適用于多種應用場景。主要參數包括負電壓額定值、中等電流額定值、適中的開態電阻,使其在不同電源和負載條件下具有良好的性能。

**應用領域:**
1. **電源開關模塊:** 由于其負電壓和適中電流額定值,可用于電源開關模塊中的開關電源和電壓調節。
2. **電池保護模塊:** 適用于移動設備和電池供電系統,提供對電池的可靠保護。
3. **信號開關模塊:** 在需要高性能信號開關的場景中,可用于實現信號開關和電平轉換。

**作用:**
- **電源開關模塊:** 用于開關電源和電壓調節,實現電源的高效能轉換。
- **電池保護模塊:** 提供對電池的可靠保護,防止過流和過壓。
- **信號開關模塊:** 作為信號開關的一部分,確保穩定的信號開關和電平轉換。

**使用注意事項:**
1. 請按照數據手冊提供的最大額定值操作,以確保器件的可靠性和穩定性。
2. 在設計中考慮散熱需求,特別是在高電流和高功率應用中。
3. 確保在閾值電壓范圍內使用,以確保正常工作。
4. 避免超過額定電壓和電流,以免損壞器件。

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