**型號：FQU13N10-VB**

**絲印：VBFB1101M**

**品牌：VBsemi**

**參數：**
- 封裝：TO251
- 類型：N-Channel 溝道
- 額定電壓：100V
- 額定電流：15A
- 開通電阻（RDS(ON)）：115mΩ（在VGS=10V, VGS=20V時）
- 閾值電壓（Vth）：1.41V

**封裝：**
- 封裝類型：TO251

**詳細參數說明：**
FQU13N10-VB 是一款 N-Channel 溝道場效應晶體管，采用 TO251 封裝，適用于工作電壓為 100V、電流為 15A 的場合。其開通電阻在不同門源電壓下為 115mΩ，能夠提供較低的導通電阻，適合高功率應用。閾值電壓為 1.41V，適合多種電路設計需求。

**應用簡介：**
該型號的晶體管主要用于各種電子設備和電路中，特別適用于需要高電壓和高電流的應用。常見的應用領域包括電源管理、功率放大、開關電源、電機驅動等。

**應用領域模塊：**
1. **電源管理模塊：** 在電源管理電路中，該 N-Channel 溝道晶體管可用于電源開關和電源調節，有效控制電路的穩定性和效率。

2. **功率放大模塊：** 由于其高電流和低開通電阻，可用于功率放大電路，如音頻放大器等。

3. **開關電源模塊：** 在高功率開關電源中，該晶體管可用于開關調節和功率放大，提供可靠的開關性能。

4. **電機驅動模塊：** 適用于高功率電機控制電路，提供足夠的電流和低電阻，以確保電機的正常運行。

**使用注意事項：**
1. **工作電壓限制：** 不要超過規定的最大工作電壓，以防止器件損壞。

2. **電流限制：** 確保在規定的電流范圍內使用，超過額定電流可能導致過熱和故障。

3. **閾值電壓適配：** 在設計電路時，確保門源電壓在規定的范圍內，以確保正常的工作。

4. **散熱：** 在高功率應用中，需要適當的散熱措施，以確保器件在合適的溫度范圍內工作。

5. **避免靜電：** 在處理和使用過程中避免產生靜電，采取防靜電措施，以免對器件造成損害。

以上是一些常見的使用注意事項，具體的使用細節還需要根據具體的電路設計和應用環境來調整。請務必參考數據手冊和廠商提供的指導來確保正確的使用和應用。