**VBsemi SMK630D-VB**
**詳細參數說明:**
- 類型: N溝道場效應管 (N-Channel MOSFET)
- 額定電壓(VDS): 200V
- 最大電流(ID): 10A
- 導通電阻(RDS(ON)): 245mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): 3.06V
- 封裝: TO252
**應用簡介:**
該器件適用于中功率、中電流應用，特別是在以下領域模塊中發揮作用：
1. **電源模塊:**
- 用于中功率電源模塊，提供高效能源轉換。
2. **電機驅動:**
- 在電機控制模塊中，用于中功率電機驅動。
3. **電源逆變器:**
- 適用于中型逆變器，如電動車逆變器。
**使用領域:**
- 工業電子
- 電動車逆變器
- 電源管理模塊
**作用:**
- 提供高電流承載能力
- 降低功率損耗
- 在中功率系統中實現高效能源轉換
**使用注意事項:**
1. 請按照數據手冊中的建議工作條件操作。
2. 注意閾值電壓的特定值，確保在設計中考慮這一參數。
3. 確保散熱設計足夠，以防止過熱。
4. 在設計中考慮電流和電壓的極限，以避免器件受損。
