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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4134DY-T1-E3-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: SI4134DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**SI4134DY-T1-E3-VB**

**絲印:** VBA1311  
**品牌:** VBsemi  
**參數:** SOP8;N—Channel溝道, 30V;12A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=0.8~2.5V  

**封裝:** SOP8  

**詳細參數說明:**  
- **溝道類型:** N—Channel  
- **最大承受電壓:** 30V  
- **最大電流:** 12A  
- **導通電阻:** 12mΩ(在VGS=10V時),12mΩ(在VGS=20V時)  
- **閾值電壓:** 0.8~2.5V  

**應用簡介:**  
該器件為 N—Channel 溝道的 MOSFET,適用于需要控制正向電流的模塊。可用于功率開關、電源控制和電流調節(jié)等應用。

**作用:**  
- 控制正向電流。
- 在功率開關和電源控制電路中發(fā)揮關鍵作用。

**使用領域模塊:**
1. **功率開關模塊:** 用于構建高效的功率開關,可控制正向電流。
2. **電源控制模塊:** 在需要可靠電源控制的應用中使用,確保電源穩(wěn)定。
3. **電流調節(jié)模塊:** 用于調節(jié)和控制電流大小,確保系統(tǒng)正常運行。

**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **閾值電壓范圍:** 在設計中確保適當的閾值電壓,以確保正常工作。
3. **溫度控制:** 注意器件工作時的溫度,避免過熱。

如有需要進一步了解或有其他問題,請告訴我。

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