--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 2個N溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 型號:Si4286DY-T1-GE3-VB
- 絲?。篤BA3638
- 品牌:VBsemi
- 封裝:SOP8
- 類型:2個N-Channel溝道
- 額定電壓:60V
- 額定電流:6A
- 導(dǎo)通電阻:27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.5V
**應(yīng)用簡介:**
這是一款集成了兩個N-Channel溝道的功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),適用于SOP8封裝。其特點包括60V的額定電壓,6A的額定電流,低導(dǎo)通電阻等,使其適用于多種功率電子應(yīng)用。
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
該器件常用于電源管理、電機驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域的模塊。在這些模塊中,它可以用于功率放大、開關(guān)控制等功能,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
**作用:**
- 在電源管理模塊中,可用于開關(guān)電源的功率調(diào)節(jié)和控制。
- 在電機驅(qū)動模塊中,可用于電機的驅(qū)動和控制。
- 在逆變器模塊中,可用于直流到交流的電能轉(zhuǎn)換。
**使用注意事項:**
- 嚴(yán)格按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性,采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施。
- 在設(shè)計中考慮散熱和溫度管理,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循適當(dāng)?shù)暮附雍桶惭b標(biāo)準(zhǔn),以確??煽康碾姎膺B接和機械強度。
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