--- 產品參數 ---
- 封裝 SC70-6
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BSD235C-VB是一款雙管N+P溝道MOSFET,封裝形式為SC70-6。該MOSFET支持±20V的漏極-源極耐壓,適用于雙極性電源設計。具有1.0V的N溝道門檻電壓和-1.2V的P溝道門檻電壓。該器件采用Trench技術,具有低導通電阻,適用于各種開關和電源管理應用。
### 參數說明
- **型號**: BSD235C-VB
- **封裝**: SC70-6
- **配置**: 雙管N+P溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: ±20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**:
- N溝道: 1.0V
- P溝道: -1.2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道:
- 2.5V柵極驅動下: 110mΩ
- 4.5V柵極驅動下: 90mΩ
- P溝道:
- 2.5V柵極驅動下: 190mΩ
- 4.5V柵極驅動下: 155mΩ
- **漏極電流 (ID)**:
- N溝道: 3.28A
- P溝道: -2.8A
- **技術**: Trench技術
### 應用領域
BSD235C-VB適用于以下領域和模塊:
1. **電源開關**: 在雙極性電源系統中,用于高效的開關控制,提供低導通電阻以減少功率損耗。
2. **電池管理**: 在電池管理系統中作為高效開關元件,處理雙極性電流流動,確保電池的安全和高效運行。
3. **電機驅動**: 適用于電機驅動電路中,作為開關元件提供穩定的電流控制。
4. **信號開關**: 用于信號開關應用,尤其是在需要雙極性開關的場合,提供低開關損耗和高可靠性。
該MOSFET的雙極性支持和低導通電阻使其在要求高效、穩定開關的應用中表現優異。
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