**1. 產品簡介：**

BSL211SP-VB 是一款高效能 P-Channel MOSFET，封裝為 SOT23-6。它采用 Trench 技術，具備低導通電阻和良好的電流處理能力，適合于要求高效能和緊湊設計的電子應用。

**2. 詳細參數說明：**

- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 單極性 P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 54mΩ（在 VGS=4.5V 時）
 - 49mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: -4.8A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSL211SP-VB 適用于各種低電壓電源管理和開關應用，如電池供電設備、便攜式電子產品、負載開關和電源反向保護電路。其緊湊的封裝和低導通電阻使其在需要高效能和空間限制的設計中表現優異，特別適合用于需要負電壓操作的場景。