--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BSH301-VB是一款高性能共源極配置N溝道MOSFET,封裝形式為TSSOP8。該MOSFET支持20V的漏極-源極耐壓和20V的柵極-源極耐壓,具備0.5~1.5V的門檻電壓。采用Trench技術,具有低導通電阻,適用于各種開關和電源管理應用。
### 參數說明
- **型號**: BSH301-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 共源極N+N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5V柵極驅動下: 32mΩ
- 4.5V柵極驅動下: 22mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench技術
### 應用領域
BSH301-VB適用于以下領域和模塊:
1. **電源開關**: 由于其低導通電阻和高電流承載能力,適合用于高效電源開關和電源管理系統。
2. **開關電源**: 用于開關電源設計中,作為高效開關元件,確保低功率損耗和高效率。
3. **電動汽車**: 在電動汽車中用于電池管理系統和電機驅動電路,提供穩定的開關控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器電路中,作為開關或驅動元件,提高系統的整體性能和效率。
該MOSFET的低導通電阻和良好的電流處理能力使其在要求高效、穩定開關的應用中表現突出。
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