### 產品簡介

**BSL306N-VB** 是一款雙極性N溝道功率MOSFET，封裝為SOT23-6。這款MOSFET具有20V的漏源電壓（VDS），支持最大±12V的柵極源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）范圍為0.5~1.5V，導通電阻為28mΩ（VGS=2.5V）和22mΩ（VGS=4.5V），最大漏電流為6A。MOSFET采用溝槽技術，適合用于需要高效率和小尺寸的開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSL306N-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 雙極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 28mΩ @ VGS = 2.5V
 - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**: 6A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSL306N-VB** 功率MOSFET 適用于以下領域和模塊：

1. **低電壓開關電路**：在低電壓和中電流的開關應用中作為開關元件，適合小型電子設備和電源管理。

2. **負載開關**：用于高效的負載開關控制，如電池供電設備、家用電器和便攜式設備，確保低導通損耗和高效能量轉換。

3. **電源調節**：在電源調節模塊中用于控制和調節電流，適合DC-DC轉換器和電源模塊的開關應用。

4. **通信設備**：用于通信設備中的開關控制，處理低電流負載，優化電源效率和系統性能。