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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SUD23N06-31-GE3-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: SUD23N06-31-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**SUD23N06-31-GE3-VB**

- **絲印:** VBE1638
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
 - 封裝:TO252
 - 溝道類型:N—Channel
 - 最大溝道電壓(VDS):60V
 - 最大漏極電流(ID):45A
 - 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):1.8V

**詳細參數說明:**
SUD23N06-31-GE3-VB 是一款N—Channel MOSFET,封裝為TO252,具有最大60V的溝道電壓和45A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為24mΩ,閾值電壓為1.8V。

**應用簡介:**
SUD23N06-31-GE3-VB廣泛應用于各種功率電子應用,包括開關電源、電機驅動和電源逆變器等。

**領域模塊應用:**
1. **開關電源模塊:** 在開關電源模塊中,SUD23N06-31-GE3-VB可用于實現高效能耗的電源開關,提供可靠的電源控制。
2. **電機驅動:** 作為電機驅動器的一部分,該器件能夠控制電機的運行,適用于各種電動工具和工業自動化系統。
3. **電源逆變器:** 在電源逆變器中,SUD23N06-31-GE3-VB可用于控制逆變電路,將直流電源轉換為交流電源,適用于太陽能發電系統等。

**作用:**
- 提供可靠的功率開關和控制。
- 用于電機的高效驅動和控制。
- 控制電源逆變器,將直流電源轉換為交流電源。

**使用注意事項:**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值,以確保在規定條件下使用。
2. 注意散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內。
3. 在設計中考慮閾值電壓,以確保在正確的電壓條件下工作。
4. 確保正確的封裝和引腳連接,以避免引起電路連接問題。

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