--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**SI4835DDY-T1-E3-VB**
- **絲印:** VBA2311
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
- 封裝:SOP8
- 溝道類型:P—Channel
- 最大溝道電壓(VDS):-30V
- 最大漏極電流(ID):-11A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1.42V
**詳細參數說明:**
SI4835DDY-T1-E3-VB 是一款P—Channel MOSFET,封裝為SOP8,具有最大-30V的溝道電壓和-11A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為10mΩ,閾值電壓為-1.42V。
**應用簡介:**
SI4835DDY-T1-E3-VB適用于各種電源管理和開關電源應用。由于其P—Channel溝道特性,它可以在負電壓環境下工作,常見的應用領域包括電源開關、DC-DC轉換器和功率逆變器等。
**領域模塊應用:**
1. **電源開關模塊:** 在電源開關模塊中,SI4835DDY-T1-E3-VB可用于實現高效能耗的電源開關,提供可靠的電源控制。
2. **DC-DC轉換器:** 作為DC-DC轉換器的一部分,該器件能夠實現電能的高效轉換,廣泛應用于移動設備和電源管理系統。
3. **功率逆變器:** 在功率逆變器中,SI4835DDY-T1-E3-VB可用于控制逆變電路,將直流電源轉換為交流電源,適用于太陽能發電系統等。
**作用:**
- 提供可靠的電源開關和控制。
- 實現高效的DC-DC電能轉換。
- 控制功率逆變器,將直流電源轉換為交流電源。
**使用注意事項:**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值,以確保在規定條件下使用。
2. 注意散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內。
3. 在設計中考慮閾值電壓,以確保在正確的電壓條件下工作。
4. 確保正確的封裝和引腳連接,以避免引起電路連接問題。
為你推薦
-
BSH204-VB一款Single-P溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:26
產品型號:BSH204-VB 封裝:SOT23-3 溝道:Single-P -
BSH121-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:24
產品型號:BSH121-VB 封裝:SOT23-3 溝道:Single-N -
BSH112-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:23
產品型號:BSH112-VB 封裝:SOT23-3 溝道:Single-N -
BSH111-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:20
產品型號:BSH111-VB 封裝:SOT23-3 溝道:Single-N -
BSH107-VB一款Single-N溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:18
產品型號:BSH107-VB 封裝:SC70-6 溝道:Single-N -
BSH101-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:16
產品型號:BSH101-VB 封裝:SOT23-3 溝道:Single-N -
BSD840N-VB一款Dual-N+N溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:14
產品型號:BSD840N-VB 封裝:SC70-6 溝道:Dual-N+N -
BSD235N-VB一款Dual-N+N溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:13
產品型號:BSD235N-VB 封裝:SC70-6 溝道:Dual-N+N -
BSD235C-VB一款Dual-N+P溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:05
產品型號:BSD235C-VB 封裝:SC70-6 溝道:Dual-N+P -
BSC900N20NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:03
產品型號:BSC900N20NS3 G-VB 封裝:DFN8(5X6) 溝道:Single-N