--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO220封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**詳細參數(shù)說明:**
- 型號:IRFB4110GPBF-VB
- 絲?。篤BM1101N
- 品牌:VBsemi
- 封裝:TO220
- 類型:N-Channel溝道
- 額定電壓:100V
- 額定電流:100A
- 導通電阻:9mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:3.2V
**應用簡介:**
這是一款N-Channel溝道的功率場效應晶體管(Power MOSFET),適用于TO220封裝。其特點包括100V的額定電壓,100A的額定電流,低導通電阻等,使其適用于高功率的功率電子應用。
**應用領(lǐng)域:**
該器件常用于電源開關(guān)、電機驅(qū)動、電力放大等領(lǐng)域的模塊。在這些模塊中,它可以用于高功率的開關(guān)調(diào)節(jié)、電流控制等功能,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和控制。
**作用:**
- 在電源開關(guān)模塊中,可用于高功率的開關(guān)電源的調(diào)節(jié)和控制。
- 在電機驅(qū)動模塊中,可用于高功率電機的驅(qū)動和控制。
- 在電力放大模塊中,可用于高功率的信號放大和電力放大的應用。
**使用注意事項:**
- 嚴格按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以防止器件損壞。
- 注意器件的靜電敏感性,采取適當?shù)姆雷o措施。
- 在設(shè)計中考慮散熱和溫度管理,確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 遵循適當?shù)暮附雍桶惭b標準,以確??煽康碾姎膺B接和機械強度。
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