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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STP9N60M2-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應用分析

型號: STP9N60M2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO220封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**STP9N60M2-VB**

- **絲印:** VBM165R12
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
 - 封裝:TO220
 - 溝道類型:N—Channel
 - 最大溝道電壓(VDS):650V
 - 最大漏極電流(ID):12A
 - 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):3.5V

**詳細參數說明:**
STP9N60M2-VB 是一款N—Channel MOSFET,封裝為TO220,具有最大650V的溝道電壓和12A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為800mΩ,閾值電壓為3.5V。

**應用簡介:**
STP9N60M2-VB廣泛應用于功率電子應用,包括電源開關、電源逆變器和電機驅動器等。

**領域模塊應用:**
1. **電源開關模塊:** 在電源開關模塊中,STP9N60M2-VB可用于實現高效能耗的電源開關,提供可靠的電源控制。
2. **電源逆變器:** 作為電源逆變器的一部分,該器件能夠控制逆變電路,將直流電源轉換為交流電源,適用于各種功率電源系統。
3. **電機驅動:** 在電機驅動器中,STP9N60M2-VB可用于電機的高效驅動和控制,適用于工業自動化和電動汽車等領域。

**作用:**
- 提供可靠的功率電源開關和控制。
- 控制電源逆變器,將直流電源轉換為交流電源。
- 在電機驅動中用于電機的高效驅動和控制。

**使用注意事項:**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值,以確保在規定條件下使用。
2. 注意散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內。
3. 在設計中考慮閾值電壓,以確保在正確的電壓條件下工作。
4. 確保正確的封裝和引腳連接,以避免引起電路連接問題。

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