型號(hào): CPH3314-TL-E-VB
絲印: VB2355
品牌: VBsemi
封裝: SOT23

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 極性: P—Channel
- 最大漏電壓(Vds): -30V
- 最大漏電流(Id): -5.6A
- 開啟態(tài)漏電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
CPH3314-TL-E-VB是一款P—Channel溝道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。該器件在負(fù)30V的最大漏電壓條件下，具有負(fù)5.6A的最大漏電流能力，并在不同門源電壓下表現(xiàn)出47mΩ的低開啟態(tài)漏電阻。其閾值電壓為負(fù)1V。

**應(yīng)用領(lǐng)域:**
由于CPH3314-TL-E-VB的性能參數(shù)，它可能在以下領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用：

1. **電源管理模塊:** 適用于電源開關(guān)電路，如開關(guān)電源、電源適配器和電池管理。

2. **電流控制模塊:** 可用于電流調(diào)節(jié)器和電流限制器，確保電流穩(wěn)定和可控。

3. **信號(hào)放大模塊:** 由于其P—Channel極性，適用于需要P—Channel MOSFET的信號(hào)放大電路。

4. **電源逆變器:** 在需要逆變功能的電源逆變器中，CPH3314-TL-E-VB可以用于控制電源的開關(guān)和反相。

這些應(yīng)用場(chǎng)景僅為示例，具體使用取決于系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求和性能參數(shù)的匹配。