**2SJ399-VB**
- **絲印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** SOT23
**參數：**
- **溝道類型：** P—Channel
- **最大漏極電壓（VDS）：** -30V
- **最大漏極電流（ID）：** -5.6A
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓（Vth）：** -1V
**應用簡介：**
2SJ399-VB是一款P-Channel溝道MOSFET，具有卓越的特性，適用于多種應用場景。以下是其詳細參數說明和應用簡介：
1. **電源模塊：** 適用于設計高效的電源模塊，提供穩定的電源輸出。
2. **電池管理：** 在電池保護電路中使用，可管理電池的充放電，提高電池壽命和安全性。
3. **開關電源：** 可用于開關電源和開關電路，實現功率轉換和電能控制。
4. **照明控制：** 用于LED照明系統，實現亮度調節和電源控制。
5. **電流控制模塊：** 適用于需要精確電流控制的電路模塊設計。
6. **電源開關：** 作為電源開關元件，用于電源輸入和輸出的高效控制。
**注意：** 在具體設計中，請根據應用場景和電路參數仔細選擇工作條件和外部元件，確保符合設計要求，以實現最佳性能和穩定性。
