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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SJ625-T1B-A-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 2SJ625-T1B-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi 2SJ625-T1B-A-VB 晶體管參數(shù)和應(yīng)用簡介:**

- **參數(shù)說明:**
 - 封裝類型: SOT23
 - 溝道類型: P—Channel
 - 最大耐壓: -20V
 - 最大電流: -4A
 - 開態(tài)電阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
 - 閾值電壓: Vth = -0.81V

- **適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
 1. **功率放大模塊:** 適用于需要高功率放大的應(yīng)用,如音頻放大器和射頻功率放大器。
 
 2. **電源逆變模塊:** 用于設(shè)計電源逆變器,實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。
 
 3. **電源開關(guān)模塊:** 可用于設(shè)計電源開關(guān)電路,實現(xiàn)高效的電源開關(guān)控制。
 
 4. **低功耗模塊:** 在需要低功耗的設(shè)備中,如便攜式電子產(chǎn)品,提供高效的電源管理。

**注意:** 以上僅是一般性建議,具體應(yīng)用需根據(jù)項目需求和電路設(shè)計要求進(jìn)行詳細(xì)評估。

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