--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N+P—Channe
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
產品型號: ELM14612AA-VB
品牌: VBsemi
絲印: VBA5638
封裝: SOP8
參數:
- N+P—Channel溝道
- 最大耐壓: ±60V
- 最大漏極電流: 6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)
- 開啟電阻: 28mΩ (N-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V; 51mΩ (P-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: ±1.9V
應用簡介:
ELM14612AA-VB是一款多功能的N+P—Channel MOSFET,具有雙溝道設計,適用于各種功率控制和電源管理應用。其高耐壓、低開啟電阻和雙通道設計使其成為多種應用場景的理想選擇。
示例應用:
1. H橋驅動器: ELM14612AA-VB可用于設計H橋驅動器,適用于直流電機控制、電動車電源系統等需要雙向電流控制的場景。
2. 電源逆變器: 在太陽能逆變器和UPS等應用中,ELM14612AA-VB可用于設計高效的電源逆變器,實現直流到交流的轉換。
3. 電池管理系統: 在儲能系統和電動車電池管理中,ELM14612AA-VB可用于設計電池保護模塊,包括過壓、欠壓和過流保護功能。
ELM14612AA-VB的多功能設計使其適用于多種領域,為設計人員提供了更大的靈活性和選擇空間。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N