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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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ME2301B-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: ME2301B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**VBsemi ME2301B-VB 晶體管**

**產品規格:**
- 絲印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 最大漏極電壓:-20V
- 最大漏極電流:-4A
- 開通電阻:RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓:Vth = -0.81V

**應用簡介:**
VBsemi ME2301B-VB 是一款P溝道場效應晶體管,采用SOT23封裝。其主要特性包括低漏極電阻、適用于低壓應用和高效的電流控制,使其成為多種電子應用的理想選擇。

**適用領域和模塊示例:**
1. **電源開關模塊:**
  ME2301B-VB 適用于電源開關模塊,可用于實現高效的電源開關控制,提高電源轉換效率。在電源適配器、充電器等領域中具有廣泛的應用。

2. **電流控制模塊:**
  由于其卓越的電流控制特性,可用于電流控制模塊,例如LED驅動電路、電源管理系統等,為電子設備提供可靠的電流調節功能。

3. **低功耗電子設備:**
  在需要低功耗設計的設備中,如便攜式電子產品、傳感器節點等,ME2301B-VB 的低漏極電阻和低壓應用特性能夠滿足設計需求。

4. **低壓開關電源:**
  適用于低壓開關電源,例如太陽能充電器、小型電池供電設備等,實現對電源的有效控制。

總體而言,VBsemi ME2301B-VB 晶體管適用于多種需要P溝道場效應晶體管的應用領域,為這些領域的電路設計提供了高效、可靠的解決方案。

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