**型號：** MTD13P03Q8-VB
**絲印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**技術參數：**
- **溝道類型：** P—Channel
- **最大耐壓：** -30V
- **最大電流：** -11A
- **導通電阻：** RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **門源極閾值電壓：** Vth=-1.42V
**封裝：** SOP8
**詳細參數說明：**
MTD13P03Q8-VB是一款P—Channel溝道的MOSFET，具有最大-30V的耐壓和最大-11A的電流特性。在VGS為10V和20V時，導通電阻為10mΩ。門源極閾值電壓為-1.42V。采用SOP8封裝，適用于高性能電源和功率管理應用。
**應用簡介：**
MTD13P03Q8-VB廣泛應用于要求高性能P—Channel溝道MOSFET的電路中。其低導通電阻和高耐壓特性使其在功率開關和放大器應用中表現卓越。
**應用領域和模塊示例：**
1. **電源開關模塊：** 由于MTD13P03Q8-VB的P—Channel溝道特性，適用于電源開關模塊，提供高效的電源管理。
2. **電動汽車電池管理系統：** 在電動汽車電池管理系統中，MTD13P03Q8-VB可用于功率開關，確保電池的高效充放電。
3. **太陽能逆變器：** 由于其-11A的最大電流，適用于太陽能逆變器，提供可靠的功率控制。
**注意：** 在使用前，請詳細閱讀產品手冊和規格書，確保在規定的電氣和溫度條件下使用。
