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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTP3LP01N3-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): MTP3LP01N3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品型號(hào): MTP3LP01N3-VB

絲印: VB2355

品牌: VBsemi

**參數(shù):**
- 封裝: SOT23
- 類(lèi)型: P—Channel溝道
- 額定電壓: -30V
- 額定電流: -5.6A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): -1V

**封裝:**
- 封裝類(lèi)型: SOT23

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
MTP3LP01N3-VB是一款P—Channel溝道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。其主要參數(shù)包括額定電壓為-30V,額定電流為-5.6A,靜態(tài)導(dǎo)通電阻為47mΩ(在VGS=10V, VGS=20V時(shí)),閾值電壓為-1V。

**應(yīng)用領(lǐng)域:**
該產(chǎn)品適用于多種需要P—Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電子設(shè)備和模塊。由于其在低電壓和低電流條件下的性能優(yōu)越,特別適用于要求高效能和節(jié)能的應(yīng)用場(chǎng)合。

**典型應(yīng)用模塊:**
1. **電源模塊:** 由于該晶體管具有較低的導(dǎo)通電阻和適中的電流容量,可用于電源開(kāi)關(guān)電路中,提高開(kāi)關(guān)電源的效率。
2. **信號(hào)放大模塊:** 適用于一些信號(hào)放大電路,由于其P—Channel溝道特性,可在特定設(shè)計(jì)中用于信號(hào)放大和切換。
3. **低功耗設(shè)備:** 由于其低閾值電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于一些對(duì)功耗有較高要求的低功耗設(shè)備。

請(qǐng)注意,具體的應(yīng)用和模塊選擇應(yīng)基于電路設(shè)計(jì)的要求和規(guī)格。在集成電路設(shè)計(jì)中,確保符合產(chǎn)品規(guī)格并滿(mǎn)足設(shè)備性能要求。

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