RU20P3B-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場效應晶體管，具體參數(shù)如下：
- 封裝：SOT23
- 最大工作電壓：-20V
- 最大電流：-4A
- RDS(ON)：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓：Vth=-0.81V
**應用簡介：**
適用于需要P—Channel MOSFET的電路和模塊，特別是在需要較低阻抗和較小閾值電壓的場合。
**示例應用：**
1. **電源管理模塊：** 由于低阻抗和適中的電流容量，適用于電源開關和調節(jié)模塊。
2. **電機驅動：** 在需要反相控制的場合，如直流電機驅動模塊。
3. **電池保護電路：** 由于低閾值電壓和SOT23封裝的小型尺寸，適用于電池保護電路，確保在低電壓狀態(tài)下切斷電池。
請注意，具體應用需根據(jù)項目的電氣要求和設計參數(shù)進行驗證。
