**SI2318ADS-T1-GE3-VB**

- **絲印：** VB1330
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - 封裝：SOT23
 - 溝道類型：N—Channel
 - 額定電壓：30V
 - 額定電流：6.5A
 - 開通電阻：RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
 - 閾值電壓：Vth = 1.2~2.2V

- **應用簡介：**
 - **領域：** 電源管理、電源適配器、工業控制等。
 - **模塊應用：** 適用于SOT23封裝的電路板和模塊設計，特別在需要N溝道場效應晶體管的場景。

**詳細參數說明：**
SI2318ADS-T1-GE3-VB是一款N—Channel溝道場效應晶體管，專為電源管理、電源適配器和工業控制等領域設計。其采用SOT23封裝，額定電壓為30V，額定電流為6.5A，具有低開通電阻(RDS(ON) = 30mΩ)，在不同電壓(VGS=10V、VGS=20V)下表現優異。閾值電壓(Vth)在1.2~2.2V范圍內，提供了設計的靈活性。

這款場效應晶體管適用于需要N溝道場效應晶體管的電源管理和工業控制電路。其可靠的性能和SOT23封裝使其成為電子工程師在小型電路板和模塊設計中的理想選擇。