**VBsemi SI2377DS-T1-GE3-VB**

- **封裝類型:** SOT23
- **溝道類型:** P-Channel
- **最大耐壓:** -30V
- **最大漏電流:** -5.6A
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓 (Vth):** -1V

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
SI2377DS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的P-Channel溝道功率MOSFET，采用SOT23封裝。具有最大-30V的耐壓能力，最大-5.6A的漏電流，以及在10V和20V時的47mΩ導(dǎo)通電阻。閾值電壓為-1V，適用于需要高性能P-Channel MOSFET的電路設(shè)計。

**應(yīng)用簡介:**
該器件適用于多種電源管理和功率放大應(yīng)用，特別是在需要P-Channel MOSFET的電路中，可以提供高效、可靠的性能。

**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源開關(guān):** 用于開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。
2. **電機驅(qū)動:** 在電機控制中用于負(fù)載開關(guān)。
3. **LED照明:** 適用于LED驅(qū)動電路。
4. **充電管理:** 在移動設(shè)備和電動工具中的充電管理電路。
5. **電源逆變器:** 在逆變器和直流-交流轉(zhuǎn)換器中使用。

**注意:** 在設(shè)計中，請根據(jù)具體的電路要求和工作條件仔細(xì)選擇和使用該器件。