方案
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普賽斯儀表 | 納米材料霍爾效應(yīng)/電阻率等電性能參數(shù)測(cè)試解決方案2024-09-12 15:05
納米材料/納米電子器件電學(xué)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)1、納米級(jí)尺寸性能不同于宏尺寸材料與器件狀態(tài)變化快，對(duì)測(cè)試儀器響應(yīng)速度有要求2、測(cè)試信號(hào)微弱多在樣品研發(fā)階段單位面積產(chǎn)生的電壓/電流的微弱信號(hào)電流信號(hào)nA甚至pA級(jí)，對(duì)設(shè)備的微弱信號(hào)檢測(cè)能力要求高3、外部噪聲干擾需要降低外部噪聲影響，屏蔽濾波，無(wú)干擾降低熱電噪聲，材質(zhì)、溫度適當(dāng)?shù)倪B接方式：四線制，降低線損壓降；三同軸GUARD方式，降低線纜漏電流納米材料電學(xué) -
普賽斯儀表 | 光電探測(cè)器電性能參數(shù)測(cè)試解決方案2024-09-12 13:37
光電探測(cè)器光電測(cè)試光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試，封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試，完成最終的特性分析和分揀操作，光電探測(cè)器在工作時(shí)，需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì)，從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作；測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電容、響應(yīng)度、串?dāng)_等參數(shù)。利用數(shù)字源表（SMU)進(jìn)行光電探測(cè)器光電性能表征實(shí)施光電性能參數(shù)表征分析的最佳工具之一是數(shù)字源表 -
普賽斯儀表 | 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池I-V特性測(cè)試解決方案2024-09-12 11:12
為什么選擇數(shù)字源表來(lái)進(jìn)行鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的I-V測(cè)試?許多半導(dǎo)體和電子裝置測(cè)試都要盡可能快的輸出電壓和測(cè)量電流。整體測(cè)試時(shí)間是由充電時(shí)間、測(cè)量時(shí)間、放電時(shí)間，以及設(shè)定和處理測(cè)試時(shí)間所組成的函數(shù)。傳統(tǒng)的電源只能輸出電壓或電流，而無(wú)法作為負(fù)載吸收能量，而數(shù)字源表(SMU)是一種可以提供完整的四象限運(yùn)行的精密儀表，當(dāng)工作在第2和第4象限時(shí),可以作為阱(負(fù)載)吸收能量，工作在第1和第3象限時(shí)，可以作為源輸 -
普賽斯儀表 | 創(chuàng)新技術(shù)突破,激光器老化測(cè)試系統(tǒng)解決方案2024-06-07 11:28
大功率激光器在光束質(zhì)量、工作效率、結(jié)構(gòu)體積、壽命和系統(tǒng)維護(hù)等方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。但與此同時(shí),由于單顆芯片出光功率大，單位面積產(chǎn)生的熱量大，如果不做好散熱技術(shù)，將直接影響半導(dǎo)體激光器輸出功率、閾值電流密度、電光轉(zhuǎn)化效率、微分量子效率、偏振度等性能，并導(dǎo)致半導(dǎo)體激光器壽命和可靠性的下降，甚至?xí)p毀芯片，最終影響器件可靠性。在交付使用之前需要將激光器芯片置于高的溫度和電流等極端操作條件下進(jìn)行壽命和可靠性 -
普賽斯儀表 | 普賽斯電流傳感器測(cè)試解決方案2024-06-07 11:06
電流傳感器依據(jù)測(cè)量原理不同，主要可分為：分流器、電磁式電流傳感器、電子式電流傳感器、TMR磁傳感器等。電子式電流傳感器包括霍爾電流傳感器、羅柯夫斯基電流傳感器及專(zhuān)用于變頻電量測(cè)量的變頻功率傳感器(可用于電壓、電流和功率測(cè)量)等。霍爾電流傳感器與TMR磁傳感器，都是是利用霍爾效應(yīng)而制成的一種非接觸式傳感器。霍爾效應(yīng)，是一種磁場(chǎng)和感應(yīng)電壓之間的關(guān)系。當(dāng)電流通過(guò)一個(gè)位于磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的時(shí)候,磁場(chǎng)會(huì)對(duì)導(dǎo)體中 -
普賽斯儀表 | 二極管/三極管/MOS管電性能測(cè)試解決方案2024-06-06 16:19
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之—是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。解決了傳統(tǒng)多臺(tái)測(cè)試儀表之間編程、同步、接線繁雜及總線傳輸慢等問(wèn)題。常見(jiàn)測(cè)試半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管等。 -
普賽斯儀表 | 氣敏電阻/壓敏電阻特性分析解決方案2024-06-06 15:43
利用源表SMU可以靈活的進(jìn)行電阻測(cè)量I-V測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)。根據(jù)待測(cè)器件(DUT)的不同，信號(hào)電平可能相當(dāng)?shù)?需要高靈敏度源和測(cè)量?jī)x器及測(cè)試技術(shù)，最大限度地減少誤差的外部來(lái)源，而且需要有快的測(cè)試速度和高的測(cè)試可靠性做保證。氣敏電阻/壓敏電阻I-V特性測(cè)試傳統(tǒng)需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、 -
普賽斯儀表 | VCSEL窄脈沖LIV測(cè)試解決方案2024-06-06 14:26
VCSEL常見(jiàn)測(cè)試參數(shù)特性分析VCSEL器件廣泛應(yīng)用于3D人臉識(shí)別和距離傳感。當(dāng)VCSEL陣列用于TOF模組，特別是激光雷達(dá)一類(lèi)的dTOF系統(tǒng)時(shí)，VCSEL在窄脈沖情況下的峰值功率、工作電流、工作電壓、轉(zhuǎn)化效率、近遠(yuǎn)場(chǎng)光學(xué)特性等參數(shù)對(duì)于芯片供應(yīng)商、封裝服務(wù)商、模組集成商等都非常重要。VCSEL和VCSEL陣列，包括各種激光二極管標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)的關(guān)鍵電性能技術(shù)參數(shù)，常見(jiàn)如激光二極管正向壓降(VF)、Kin