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• 發布了文章 2024-12-12 17:03

  新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

  

  新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進，以滿足牽引和工業應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。這是首次擴展二極管產品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊，足以取代原來2個雙二極管3.3kV模塊。它采用發射極可控EmCon4二極管，功率循環能力更強，標準封裝

  二極管 模塊

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• 發布了文章 2024-12-11 17:04

  深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  

  /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體

  GaN SiC 功率半導體 半導體 開關電源

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• 發布了文章 2024-12-11 01:03

  功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講

  二極管 功率器件 浪涌電流 熱設計

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• 發布了文章 2024-12-10 01:00

  英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅動器系列，適用于結構緊湊、經濟高效的柵極驅動器電源

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節省空間的方式為隔離式柵極

  電源 英飛凌 驅動器

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• 發布了文章 2024-12-07 01:05

  新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊

  

  新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片，帶NTC和PressFIT壓接針腳技術。DDB2

  變換器 電動汽車 直流

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• 發布了文章 2024-12-06 01:02

  英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！

  

  作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現有且可擴展的

  氮化鎵 電壓 英飛凌

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• 發布了文章 2024-12-04 01:04

  新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導產品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴展了Easy系列在1000VDC系統中產品組合，可以實現高開關頻率應用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三電平 高速芯片

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• 發布了文章 2024-12-03 01:03

  功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯時，就可以用阻容網絡來描述。一個帶銅基板的

  功率器件 熱設計 等效模型

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• 發布了文章 2024-11-29 01:03

  新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封裝

  

  新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2024-11-28 01:00

  英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

  

  英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動器。CoolGaN650VG5晶體管最新一代CoolGaN晶體管可直接替代Co

  分立器件 晶體管 氮化鎵 英飛凌

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