英飛凌工業半導體文章

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產品系列產品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件 1309瀏覽量

• 新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅動器2023-03-28 16:41

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅動器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅動器系列，容易使用，最近發布的柵極驅動器系列又增加了一個新的產品系列，DSO-8150mil窄體封裝（1ED314x），帶一個米勒鉗位選項。相關器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  柵極 驅動器 1355瀏覽量

• SiC MOSFET的短溝道效應2023-03-28 16:40

  

  原文標題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC 1085瀏覽量

• 新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊2023-03-28 16:40

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導通電阻8-17毫歐五個規格，PressFIT壓接針和NTC。產品型號：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產品特點Best-

  光伏 模塊 674瀏覽量

• HV SJ MOSFET工作在第三象限時電流路徑探究2023-03-15 22:10

  

  熊康明英飛凌電源與傳感系統事業部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設計中，當面對ZVS的場景時，經常會有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死區時，MOSFET寄生二極管續流，當完成了對結電容的充放電之后，再打開MOSFET以降低器件的損耗。細心的工程師可能就會發現一個有趣的問題，我們這里拿IPW60R024CFD7舉例說明，假設死區時刻，流過二

  MOSFET 二極管 電流 2230瀏覽量

• 新品 | EVAL-IMI111T-026 iMOTION™帶有微控制器、柵極驅動器的2A 600V IPM評估板2023-03-15 22:10

  

  新品EVAL-IMI111T-026iMOTIONiMOTION集成了電機控制器、三相柵驅動器2A600VIPM評估板，目標應用為家用空調室內風機，吊扇和小電機驅動。產品型號：EVAL-IMI111T-026，2A600VIPM的評估板EVAL-IMI111T-026是一個用于iMOTIONIMI111T-026HIPM的啟動套件。IMI111T-026H器

  控制器 評估板 驅動器 1032瀏覽量

• 如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰2023-03-15 22:09

  

  作者簡介作者：JanBaurichter翻譯：趙佳尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導致了熱阻抗的增加，進而影響性能。但是，由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間，因此有可

  IGBT 芯片 968瀏覽量

• 如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰2023-03-15 22:09

  

  在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。現在，讓我們來看看我們如何能夠改善電氣性能。同樣，我們將以采用TRENCHSTOPIGBT7技術

  模塊 電氣 芯片 937瀏覽量

• 如何在最短的時間內得到英飛凌工程師的技術支持？這份操作指南請收好2023-03-02 22:05

  

  在項目開發過程中，您是不是經常：不清楚如何選擇合適規格的半導體芯片調試過程中總是出現bug測試過程中有一些震蕩總是無法消除當您有以上困惑，卻苦于無法聯系到原廠工程師的時候，就請登錄英飛凌官方開發者社區吧。英飛凌官方開發者社區在英飛凌開發者社區，工程師的技術問題可以得到快速解答。源于多達200人組成的英飛凌專業工程師團隊，每天都到論壇查看用戶的問題，確保24小

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• 米勒電容、米勒效應和器件與系統設計對策2023-03-02 22:04

  

  搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導通，開始流過電流

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