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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • 新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板2023-01-11 15:09

    新品采用IPMIM3231500W電機驅動的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估,它的目標應用為三相電機驅動,大家電,如空調、泵、風扇和其他變頻驅動器。產品型號:EVAL-M1-IM323產品特點輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時最大12A的輸入電流220V
    驅動 電機 評估板 924瀏覽量
  • 通過柵極驅動器提高開關電源功率密度2023-01-11 15:08

    作者:HubertBaierl,英飛凌科技市場總監校對:柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領域一樣,進步持續發生。目前,在3.3kW開關電源(SMPS)中,產品效率高達98%,1U結構尺寸,其功率密度可達100W/in³。這之所以可以實現是因為我們在圖騰柱PFC級中明智地選擇了超結(SJ)功率MOSFET(例如CoolMOS),碳化硅(SiC)MOSF
    電源 驅動器 809瀏覽量
  • 探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性2023-01-04 09:45

    SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同,這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說,輸出電容的影響較大,而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素,并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
    二極管 MOSFET 2502瀏覽量
  • 魚與熊掌皆可得?當SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

    引言事物皆有兩面:SiCMOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是
    asic 1001瀏覽量
  • IGBT窄脈沖現象解讀2022-05-26 02:14

    什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開關,從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間,就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時,時常會無奈發生,占空比越小越容易輸出窄脈沖,且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000A
    IGBT 2768瀏覽量
  • Tvj - IGBT元宇宙中的結溫2022-05-24 05:30

    ///在IGBT應用中,結溫是經常使用的一個參數,大部分讀者應該都很熟悉這個概念,但是這和元宇宙有什么關系呢?我想先請大家考慮一個問題:IGBT結溫到底是指具體哪兒的溫度?。。。你們是不是已經開始上百度搜索答案了?我在百度百科以及維基百科搜索出結溫的解釋大概是這樣的:晶體管結溫,簡稱結溫,是指半導體芯片內的最高工作溫度,通常芯片的結溫會比芯片的外殼高。。。原
    IGBT 4463瀏覽量
  • 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

    新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關器件:P2000DL45X1682000A4500V帶續流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高
    IGBT 1474瀏覽量
  • 如何計算驅動芯片的desat保護時間2022-05-24 05:24

    SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多,英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間,Easy模塊保證2us的短路時間,因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天,我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統典型的驅動芯片退飽和檢測原理,芯片內置一個恒流源。功率開關器件在門極電壓一定時,發生短路后,電流不斷增加,導致器件VCE電壓迅速提升
    英飛凌 MOSFET IGBT 2173瀏覽量
  • IGBT門極驅動到底要不要負壓2022-05-13 01:25

    先說結論,如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說,很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關,在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
    IGBT 1599瀏覽量
  • 英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022:盡享非凡功率2022-05-10 01:25

    PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡,是全球電力電子行業的頂級展會及研討會,已有40年多年歷史。在這一行業盛會上,全球從業者齊聚一堂,展示與交流電力電子技術和應用。來自學術界和工業界的專家在這里發布最新的研究成果和新產品,內容從器件、驅動控制、封裝技術到最終系統,涵蓋整個生態鏈。英飛凌將亮相PCIM2022(5月10日至12日,德國紐倫堡),展示功率半導體
    英飛凌 603瀏覽量
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