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如何拓展IGBT驅動器電流2022-05-08 01:46
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當.XT技術遇上SiC單管2022-04-30 01:57
英飛凌于2020年發布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產品,導通電阻從350mohm到30mohm,覆蓋功率范圍最高可到20kW,產品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產品也許您已選用測試,或許還在選型觀望,又或者正懵懂于“.XT”是個啥?不妨讀完此文,撥云見日,三站地鐵,十分鐘足SiC 1023瀏覽量 -
怎么理解驅動芯片的驅動電流能力2022-04-28 01:33
使用功率開關器件的工程師們肯定都有選擇驅動芯片的經歷。面對標稱各種電流能力的驅動產品時,往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個剛好夠用的產品。以下內容或許能給到些啟發。首先來看一下這個驅動峰值電流的定義方式。這個很重要,不同公司的產品往往宣傳說法不一樣,所以要參考規格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產品的電流表。比如1EDI60I12A驅動器 3025瀏覽量 -
新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23
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新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42
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新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產品2022-04-20 01:27
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品,采用TO247封裝,建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化,性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術,最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12MOSFET 947瀏覽量 -
無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術優勢及產品系列2022-04-19 01:24
在之前的技術文章中,介紹了驅動芯片的概覽,PN結隔離(JI)技術,SOI驅動芯片技術等非隔離的驅動技術,本文會繼續介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術。在隔離器件的技術上,有三種主流的隔離技術,分別是光隔離,電容隔離和變壓器隔離。顧名思義,其隔離的介質分別是光,電場信號和磁信號,隔離器件的使用及其廣泛,從輸入輸出接口,通訊端口,到功率器件的柵極驅芯片 1557瀏覽量 -
IGBT驅動電流行為綜述2022-04-16 01:38
IGBT驅動需要電流:IGBT是一種電壓驅動的電子開關,正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通,實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電,還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻,電流取決于柵極電荷,但我們一般講的是峰值電流。驅動的峰值電流很好理解,按照歐姆定律,由驅動電壓和驅動電阻決定:但在小阻值驅動回路中,實際測得驅動電流一般比上述公式計算IGBT 2227瀏覽量 -
高集成度功率電路的熱設計挑戰2022-04-15 01:29
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隔離型驅動的新勢力:英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅動2022-04-12 01:27