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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業半導體文章

  • 如何拓展IGBT驅動器電流2022-05-08 01:46

    功率半導體驅動電路是集成電路的一個重要子類,功能強大,用于IGBT的驅動IC除了提供驅動電平和電流,往往帶有驅動的保護功能,包括退飽和短路保護、欠壓關斷、米勒鉗位、兩級關斷、軟關斷、SRC(slewratecontrol)等,產品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路,其封裝決定了最大功耗,驅動IC輸出電流有的可以做到10A以上,但還是不能滿足大電流IGB
    電流 驅動器 1569瀏覽量
  • 當.XT技術遇上SiC單管2022-04-30 01:57

    英飛凌于2020年發布了基于.XT技術的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產品,導通電阻從350mohm到30mohm,覆蓋功率范圍最高可到20kW,產品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產品也許您已選用測試,或許還在選型觀望,又或者正懵懂于“.XT”是個啥?不妨讀完此文,撥云見日,三站地鐵,十分鐘足
    SiC 1023瀏覽量
  • 怎么理解驅動芯片的驅動電流能力2022-04-28 01:33

    使用功率開關器件的工程師們肯定都有選擇驅動芯片的經歷。面對標稱各種電流能力的驅動產品時,往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個剛好夠用的產品。以下內容或許能給到些啟發。首先來看一下這個驅動峰值電流的定義方式。這個很重要,不同公司的產品往往宣傳說法不一樣,所以要參考規格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產品的電流表。比如1EDI60I12A
    驅動器 3025瀏覽量
  • 新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23

    新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應用而開發的,與雙面光伏組件兼容,功率為500W+。每個模塊都配備了3路MPPT,每路MPPT的輸入電流可達到30A。產品規格:FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-
    芯片 模塊 1245瀏覽量
  • 新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42

    新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達1.5HP的逆變器產品規格:IM323系列的新成員是專門為家用空調和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝,可用于額定功率達1
    IGBT IPM 988瀏覽量
  • 新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產品2022-04-20 01:27

    新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品,采用TO247封裝,建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化,性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術,最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
    MOSFET 947瀏覽量
  • 無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術優勢及產品系列2022-04-19 01:24

    在之前的技術文章中,介紹了驅動芯片的概覽,PN結隔離(JI)技術,SOI驅動芯片技術等非隔離的驅動技術,本文會繼續介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術。在隔離器件的技術上,有三種主流的隔離技術,分別是光隔離,電容隔離和變壓器隔離。顧名思義,其隔離的介質分別是光,電場信號和磁信號,隔離器件的使用及其廣泛,從輸入輸出接口,通訊端口,到功率器件的柵極驅
    芯片 1557瀏覽量
  • IGBT驅動電流行為綜述2022-04-16 01:38

    IGBT驅動需要電流:IGBT是一種電壓驅動的電子開關,正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通,實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電,還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻,電流取決于柵極電荷,但我們一般講的是峰值電流。驅動的峰值電流很好理解,按照歐姆定律,由驅動電壓和驅動電阻決定:但在小阻值驅動回路中,實際測得驅動電流一般比上述公式計算
    IGBT 2227瀏覽量
  • 高集成度功率電路的熱設計挑戰2022-04-15 01:29

    前言目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步,半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言,其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝,功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型,也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件,還集成了驅動器和控制電路IC,這樣的功率半導體
  • 隔離型驅動的新勢力:英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅動2022-04-12 01:27

    一提到隔離型驅動,不少硬件研發工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎?伴隨著全球電氣化和數字化的趨勢,電力電子技術的發展也日新月異:功率器件開關頻率進一步提高,寬禁帶器件使用方興未艾,終端應用環境更加復雜惡劣,這些都對隔離型驅動的性能和可靠性提出了全新的挑戰。而英飛凌隔離型驅動的超強性能正好滿足了這些挑戰:+無磁芯變壓器隔離技術基于磁耦合的電氣隔
    英飛凌 驅動器 1404瀏覽量
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