碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜....

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如....

IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名稱：集成....

摘 要：針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題，給出了Boost電路中功率模....

近年來(lái)，我國(guó)已成為全球發(fā)電量第一的大國(guó)。電能一直是人類消耗的最大能源，是目前最為重要的一種能源形式之....

一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW....

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....

應(yīng)對(duì)網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)組成部分，并且更加昂貴和復(fù)雜。

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 是提供適應(yīng)性強(qiáng)且可更改的硬件功能的半導(dǎo)體。它們包含各種可變邏輯單元和....

自從IBM于20世紀(jì)60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接（Controlled Collapse Chip....

增加3D（三維）NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久....

此次，我們將報(bào)道旨在實(shí)現(xiàn)光互連的光器件的最新研究和發(fā)展趨勢(shì)。

因?yàn)槠囯妱?dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的來(lái)襲，全球性的汽車芯片缺貨，以及國(guó)內(nèi)汽車芯片產(chǎn)業(yè)的興起。汽車芯片產(chǎn)業(yè)....

隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)、中美科技戰(zhàn)打響以來(lái)，集成電路成了一個(gè)熱門話題。我國(guó)也在加強(qiáng)集成電路的發(fā)展[1]，那么....

電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制....

蜂窩專用網(wǎng)絡(luò)正在進(jìn)入一個(gè)充滿希望的商業(yè)階段，并在全球范圍內(nèi)傳播，這為需要解決新工業(yè)用例的 RAN 參....

IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能....

ISC-V Tensor 單元集成到緩存子系統(tǒng)中，SemiDynamics 使其成為第一個(gè)用于數(shù)據(jù)中....

電機(jī)控制器：碳化硅器件在新能源汽車電機(jī)控制器中可以應(yīng)用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動(dòng)單元等，利用其高....

IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。

場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。

作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武....

MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍....

一個(gè)電路板從設(shè)計(jì)到實(shí)現(xiàn)是經(jīng)過(guò)什么步驟？

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....

在一些電路的設(shè)計(jì)中，不光是開關(guān)電源電路中，經(jīng)常會(huì)使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的....

針對(duì)現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問(wèn)題，以溫度對(duì)電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見散....

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是....

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更....

二極管：將PN結(jié)用外殼封裝起來(lái)，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管（P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極，N區(qū)引出的....