碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端....

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和....

近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳....

自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機以來，太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視，光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展....

逆變器在光伏系統(tǒng)中具有關(guān)鍵作用。

摘要：通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2....

“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分，有功率晶體管（M....

實現(xiàn)雙電源自動切換電路，其中利用了三個MOS管進行的電路設(shè)計。

SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛....

為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設(shè)計了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)， 從器件溫升、....

逆變器的分類方法很多，按照源流性質(zhì)可分為有源逆變器和無源逆變器，根據(jù)逆變器輸入交流電壓相數(shù)可分為單相....

摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體....

IMEC 項目經(jīng)理 Pawel Malinowski 與 Semiconductor Enginee....

如今全球的汽車已經(jīng)進入到智能化時代，汽車對于芯片的需求劇烈增加，以往一個傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五....

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐t....

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法....

在電子工程領(lǐng)域，功率器件和集成電路是兩個重要的分支，它們各自在特定的應(yīng)用場景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....

功率半導(dǎo)體通過對電流與電壓進行調(diào)控實現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，....

碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應(yīng)用于硅基器件的....

眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將....

IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進步，并可能....

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工....

本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱為柵極開關(guān)應(yīng)....

到目前為止，第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識是，第三方芯粒市場將在某個時候蓬勃發(fā)展....

碳化硅（SiC）材料被認為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....

英特爾是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次，英....

更高的擊穿場允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....

MOSFET的并聯(lián)使用

IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極....

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....