--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9918H-VB 產品簡介
AP9918H-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用先進的Trench技術,具有低導通電阻和高電流承載能力。該器件封裝為TO252,適合需要高效能和高電流負載的功率開關和電源管理應用。
### AP9918H-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench
### AP9918H-VB 應用領域和模塊
AP9918H-VB適用于以下領域和模塊,特別是需要高效能和高電流處理能力的應用場景:
1. **電源轉換器**:
- 在DC-DC變換器和AC-DC轉換器中,AP9918H-VB可以作為功率開關使用,支持高效能的電源管理,確保穩定的電力輸出。
2. **電動工具和家電**:
- 在電動工具和家用電器中,該器件可以用于電機驅動器的開關電源,提升設備的性能和能效。
3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,AP9918H-VB可以應用于電動汽車、混合動力車輛的電機控制和電池管理系統,支持高功率和高效能的驅動。
4. **工業自動化**:
- 在工業控制系統和自動化設備中,該MOSFET可用于電機驅動、機器人控制和傳感器模塊,確保設備的穩定運行和高效能。
5. **電池管理和充電系統**:
- 在電池管理和充電系統中,AP9918H-VB可以用于電池保護、充放電控制和直流電源管理,提供穩定和安全的電力管理功能。
綜上所述,AP9918H-VB以其高電流容量、低導通電阻和優異的電氣特性,適合多種高功率、高電流的應用場合,滿足工業、汽車和電源管理等領域的需求。
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