--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9920GEO-VB 產品簡介
AP9920GEO-VB 是一款雙N溝道共源放大器MOSFET,采用TSSOP8封裝。該器件結合了高性能的溝槽技術,具有低閾值電壓、低導通電阻和高漏源極電流特性,適用于需要高效率電源管理和信號放大的應用。
### AP9920GEO-VB 詳細參數說明
- **封裝形式**:TSSOP8
- **配置**:雙N溝道共源放大器
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:8.6A
- **技術類型**:Trench(溝槽技術)
### 應用領域和模塊示例
AP9920GEO-VB MOSFET 可以在以下領域和模塊中發揮重要作用:
1. **電源管理**:適用于DC-DC轉換器、電池管理系統和電源放大器,通過其低導通電阻和高電流能力,提升能源轉換效率和電源放大性能。
2. **音頻放大器**:作為音頻放大器電路中的關鍵元件,用于提供穩定和高效的信號放大,支持高保真音頻輸出。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統中,用作電動機控制、電池管理和驅動器,確保車輛系統的高效能和安全性。
4. **無線通信**:用于射頻功率放大器和信號調制器中,提供高效的信號放大和傳輸,支持無線通信設備的穩定運行。
5. **工業自動化**:在工業控制和自動化設備中,用作電機控制開關和電源管理,支持設備的高效運行和生產效率。
通過以上示例,AP9920GEO-VB MOSFET 展示了其在多個領域中的廣泛應用,為電子設備和系統提供高性能和可靠性的解決方案。
為你推薦
-
BSL307SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:43
產品型號:BSL307SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL306N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:41
產品型號:BSL306N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL215P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:38
產品型號:BSL215P-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-P+P -
BSL214N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:37
產品型號:BSL214N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL211SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:35
產品型號:BSL211SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207SP-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:34
產品型號:BSL207SP-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P -
BSL207N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:32
產品型號:BSL207N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSL205N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:30
產品型號:BSL205N-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Dual-N+N -
BSH301-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:29
產品型號:BSH301-VB 封裝:TSSOP8 溝道:Common Drain-N+N -
BSH207-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-09 11:27
產品型號:BSH207-VB 封裝:SOT23-6 溝道:Single-P