--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9922GEO-VB 產品簡介
AP9922GEO-VB 是一款集成了Common Drain架構的雙N溝道和N溝道MOSFET,采用先進的Trench工藝制造,封裝形式為TSSOP8。該器件具有低導通電阻、高電流承受能力和穩定的性能特征,適用于多種功率管理和開關控制應用。
### AP9922GEO-VB 詳細參數說明
- **封裝形式**: TSSOP8
- **配置**: Common Drain-N+N-Channel
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8.6A
- **技術**: Trench
### AP9922GEO-VB 應用領域和模塊示例
AP9922GEO-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊:
1. **電源管理**:適用于低電壓和中電壓電源的開關控制器,如DC-DC轉換器和電池管理系統。其低導通電阻和高電流承受能力使其在電能轉換效率和穩定性方面表現優越。
2. **電動工具**:用作電動工具中的功率開關元件,例如電動鉆、電動鋸等設備中的電機控制和功率管理。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統中,用于電動汽車充電控制、動力管理和驅動系統。其高電流承受能力和可靠性能使其成為電動車輛電子中的理想選擇。
4. **工業自動化**:在工業自動化設備和機器人控制系統中,用于高功率開關和電源管理,確保設備的高效運行和長期穩定性。
5. **通信設備**:用于通信基站和網絡設備中的功率放大器控制和射頻信號處理電路的開關和功率管理。
AP9922GEO-VB 的設計特性使其在多種需求嚴格的應用場景中能夠提供可靠的性能和高效的電能管理能力。
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