### 產品簡介

**AP9960GM-VB** 是一種高效能的雙N+N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術，封裝在SOP8中。此款MOSFET設計用于高效開關應用，具備低導通電阻和高電流承載能力。其主要特點包括30V的漏源電壓（VDS）、±20V的柵源電壓（VGS）、1.7V的門限電壓（Vth），以及在不同柵源電壓下低至16mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。這使得AP9960GM-VB在各種高性能電子設備中具有廣泛的應用前景。

### 詳細參數說明

| 參數                    | 數值                                |
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| 封裝                    | SOP8                              |
| 配置                    | Dual-N+N-Channel                   |
| 漏源電壓 (VDS)         | 30V                                |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±20V                               |
| 門限電壓 (Vth)         | 1.7V                               |
| 導通電阻 (RDS(ON))@VGS=4.5V | 20mΩ                               |
| 導通電阻 (RDS(ON))@VGS=10V  | 16mΩ                               |
| 漏極電流 (ID)           | 8.5A                               |
| 技術                    | 溝槽技術（Trench）                 |

### 應用領域及模塊示例

**AP9960GM-VB** 由于其低導通電阻、高電流承載能力和優良的開關性能，適用于多種領域和模塊：

1. **電源管理系統**：該MOSFET在電源管理應用中能夠提供高效的電流傳輸和低功耗，常用于DC-DC轉換器和電源適配器中。

2. **汽車電子**：在汽車電子中，AP9960GM-VB可用于電機驅動、電池管理系統和車載充電器等模塊，提供穩定的電流輸出和高效的電能轉換。

3. **消費電子**：適用于筆記本電腦、平板電腦和智能手機的電源管理模塊，確保設備在高負載情況下的穩定運行。

4. **工業控制**：在工業自動化和控制系統中，可用作高效的開關器件，用于控制大功率設備和電機，提升系統整體效率。

5. **通信設備**：在基站和路由器等通信設備中，AP9960GM-VB提供高效的功率放大和信號處理能力，確保設備在高負載情況下的穩定工作。

總的來說，**AP9960GM-VB** 是一款高性能的雙N+N溝道MOSFET，廣泛適用于需要高效電流傳輸和低功耗的各種應用場景。