--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP9960J-VB MOSFET 產品簡介
AP9960J-VB是一款采用TO251封裝的單N溝道MOSFET,專為高效能應用而設計。它具有出色的導通電阻和高電流處理能力,使其成為各種電力電子系統的理想選擇。該器件采用先進的Trench技術,提供低導通電阻和高開關速度,從而提高整體系統效率。
### AP9960J-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 55A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊示例
1. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**:
AP9960J-VB的高電流處理能力和低導通電阻使其非常適合用于電動汽車和混合動力汽車的電源管理模塊。例如,它可以用于車載充電器和電池管理系統,以提高充電效率并減少能量損耗。
2. **開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器**:
該器件的低RDS(ON)和高開關速度使其在開關電源和DC-DC轉換器中表現出色。這些模塊廣泛應用于計算機、通訊設備和工業自動化系統中。AP9960J-VB能夠有效降低開關損耗,提升整體系統效率。
3. **太陽能逆變器**:
在太陽能發電系統中,逆變器是關鍵組件,AP9960J-VB的高效性能和可靠性使其成為逆變器中的理想選擇。它可以幫助實現更高的功率轉換效率,并確保系統的穩定運行。
4. **電機驅動**:
對于需要高電流驅動的電機控制應用,如工業機器人和家電,AP9960J-VB提供了低損耗和高效能的解決方案。其卓越的性能特點能夠提高電機驅動系統的響應速度和效率。
通過這些應用示例,可以看出AP9960J-VB MOSFET在各種高效能和高可靠性的電力電子系統中具有廣泛的應用前景,能夠顯著提升系統性能和能源效率。
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