--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介詳述:
AP9980GM-VB 是一款雙通道 N+N 溝道 MOSFET,采用槽溝技術制造。具有雙通道設計和較高的漏極-源極電壓能力,適合于需要高電壓和中小功率電路設計。該器件被封裝在 SOP8 包裝中,廣泛應用于多種電子設備和系統中。
### 2. 詳細參數說明:
- **器件型號:** AP9980GM-VB
- **包裝類型:** SOP8
- **通道類型:** 雙 N+N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 80V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 62mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 3.5A
- **技術特性:** 槽溝技術(Trench)
### 3. 應用示例:
這款 MOSFET 適用于以下領域和模塊:
- **電源管理和開關電源:** AP9980GM-VB 在中小功率的電源管理和開關電源中表現出色,可以作為 DC-DC 轉換器的關鍵部件,提供高效的能量轉換和穩定的電流輸出。
- **工業控制和自動化:** 用于工業自動化設備中的電路控制和電源管理,如PLC(可編程邏輯控制器)、機器人控制系統等,確保系統運行的可靠性和穩定性。
- **電動工具和小型電機驅動:** 在需要中小功率電機控制和驅動的應用中,如電動工具、小型機械設備,AP9980GM-VB 可以提供高效的電流控制和動態響應。
- **消費電子產品:** 適用于各種消費電子產品中的電源管理和保護電路,如智能手機、平板電腦、便攜式電子設備等,支持設備的高效能耗和長時間使用。
以上示例展示了 AP9980GM-VB 在多個中小功率和高電壓要求的電路設計中的廣泛應用,利用其雙通道設計和槽溝技術優勢,確保電路性能和穩定性。
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