--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
AP9994GP-HF-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用槽溝技術,設計用于高性能功率管理和開關應用。具有極低的導通電阻和高漏極電流能力,適合要求高功率密度和可靠性的電路設計。
### 2. 參數說明
- **型號**: AP9994GP-HF-VB
- **封裝**: TO220
- **通道類型**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 210A
- **技術**: 槽溝技術 (Trench)
### 3. 應用示例
AP9994GP-HF-VB 可以在以下領域和模塊中得到應用:
- **電動車輛**: 在電動車輛的電動機控制系統中,AP9994GP-HF-VB 可以作為高功率電源開關,提供穩定的電流輸出和高效的電能轉換,確保驅動系統的高效性和可靠性。
- **工業電源**: 適用于工業電源設備中的 DC-DC 轉換器和逆變器,如工業自動化設備和電力電子設備中的電源管理模塊,以提供高功率密度和穩定的電力輸出。
- **電動化學系統**: 在需要大電流控制的電動化學系統中,如電動汽車的電池管理系統和充電控制器中,AP9994GP-HF-VB 的高性能特性可以確保系統的穩定性和高效能。
- **高性能電源模塊**: 適用于需要高功率密度和低能耗的高性能電源模塊,如服務器電源、通信基站和數據中心設備的電源管理單元。
這些示例展示了 AP9994GP-HF-VB 在多種需要高功率密度和高效能管理的電子設備和系統中的廣泛應用潛力。
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